Стимулированное Излучение Лазерных Структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, Выращенных Методом Газофазной Эпитаксии Из Металлоорганических Соединений На Неотклоненной И Отклоненной Подложках Ge/Si(001)

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2017.05.44431.8449

Related search