Стимулированное Излучение Лазерных Структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, Выращенных Методом Газофазной Эпитаксии Из Металлоорганических Соединений На Неотклоненной И Отклоненной Подложках Ge/Si(001)
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2017.05.44431.8449
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2017
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences