(PDF) Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На

Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония

Журнал технической физики

doi 10.21883/pjtf.2019.14.48012.17807

Full Text

Open PDF

Abstract

Available in full text

Date

January 1, 2019

Authors

Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Влияние Пористости И Размера Зерна На Фазовый Состав И Механические Свойства Керамики На Основе Диоксида Циркония

Журнал технической физики

2018

English

Влияние Режимов Работы На Отклик Сенсоров Аммиака На Основе Пленок Диоксида Олова

Журнал технической физики

2020

English

Искусственные Электрон-Транспортные Цепи На Основе Зеленого Флуоресцентного Белка-=sup=-*-=/Sup=-

Журнал технической физики

2019

English

Визуализация 1.908 Mum Излучения Tm : YLF-лазера Керамикой На Основе PbF-=SUB=-2-=/SUB=-, Легированной Ионами Ho-=sup=-3+-=/Sup=-

Журнал технической физики

2016

English

Дифференциация Пигментных Новообразований Кожи На Основе Цифровой Обработки Оптических Изображений-=sup=-*-=/Sup=-

Журнал технической физики

2019

English

Исследование Параметров Наноразмерного Слоя В Наногетероструктурах На Основе Полупроводниковых Соединений a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=--=sup=- 1-=/Sup=-

Журнал технической физики

2016

English

Формирование Преципитатов В Si, Имплантированном Ионами -=sup=-64-=/SUP=-Zn-=SUP=-+-=/Sup=- И -=sup=-16-=/Sup=-O-=sup=-+-=/Sup=-

Журнал технической физики

2018

English

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-> HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)

Журнал технической физики

2019

English

Влияние Упругих Напряжений На Формирование Осевых Гетеропереходов В Трехкомпонентных Нитевидных Нанокристаллах a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Журнал технической физики

2019

English

Amanote Research

Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония

Журнал технической физики

doi 10.21883/pjtf.2019.14.48012.17807

Full Text

Abstract

Date

Authors

Publisher

Related search

Влияние Пористости И Размера Зерна На Фазовый Состав И Механические Свойства Керамики На Основе Диоксида Циркония

Влияние Режимов Работы На Отклик Сенсоров Аммиака На Основе Пленок Диоксида Олова

Искусственные Электрон-Транспортные Цепи На Основе Зеленого Флуоресцентного Белка-=sup=-*-=/Sup=-

Визуализация 1.908 Mum Излучения Tm : YLF-лазера Керамикой На Основе PbF-=SUB=-2-=/SUB=-, Легированной Ионами Ho-=sup=-3+-=/Sup=-

Дифференциация Пигментных Новообразований Кожи На Основе Цифровой Обработки Оптических Изображений-=sup=-*-=/Sup=-

Исследование Параметров Наноразмерного Слоя В Наногетероструктурах На Основе Полупроводниковых Соединений a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=--=sup=- 1-=/Sup=-

Формирование Преципитатов В Si, Имплантированном Ионами -=sup=-64-=/SUP=-Zn-=SUP=-+-=/Sup=- И -=sup=-16-=/Sup=-O-=sup=-+-=/Sup=-

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-&gt; HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)

Влияние Упругих Напряжений На Формирование Осевых Гетеропереходов В Трехкомпонентных Нитевидных Нанокристаллах a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-> HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)