Исследование Напряжeнности Внутренних Электрических Полей В Активной Области Светодиодных Структур На Основе InGaN/GaN С Разным Числом Квантовых Ям Методом Спектроскопии Электропропускания
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2020.04.49151.9335
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2020
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences