Исследование Напряжeнности Внутренних Электрических Полей В Активной Области Светодиодных Структур На Основе InGaN/GaN С Разным Числом Квантовых Ям Методом Спектроскопии Электропропускания

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2020.04.49151.9335

Related search