Влияние Электрического Режима И Gamma-Облучения На Образование Поверхностных Дефектов На Границе Раздела Si-SiO-=sub=-2-=/Sub=- В МОП-транзисторе

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.01.46998.8900
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences