Влияние Электрического Режима И Gamma-Облучения На Образование Поверхностных Дефектов На Границе Раздела Si-SiO-=sub=-2-=/Sub=- В МОП-транзисторе
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.01.46998.8900
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences