Высоковольтные Светодиодные Кристаллы AlInGaN

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.11.48456.9179
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Высоковольтные Диффузионные Диоды С Резким Восстановлением. II. Теория

Журнал технической физики
2019English

Erbium-Doped AlInGaN Alloys as High-Temperature Thermoelectric Materials

Applied Physics Express
EngineeringAstronomyPhysics
2011English

Electroreflectance Characterization of AlInGaN/GaN High-Electron Mobility Heterostructures

Semiconductor Science and Technology
Electronic EngineeringCondensed Matter PhysicsOpticalMaterials ChemistryElectricalMagnetic MaterialsElectronic
2015English

High Al-Content AlInGaN Devices for Next Generation Electronic and Optoelectronic Applications

2001English

Светодиодные Структуры На Основе ZnO-пленок, Полученных Методом Высокочастотного Магнетронного Распыления, Для УФ Области Спектра

Журнал технической физики
2020English

Высоковольтные (1600 V) Размыкатели Тока С Субнаносекундным (150 Ps) Быстродействием На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
2018English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy