Связь Релаксации Собственного Стимулированного Пикосекундного Излучения GaAs С Характерным Временем Остывания Носителей Заряда

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.11.48442.9105
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Влияние Глубоких Уровней Дислокаций В Гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs И GaAsSb/GaAs P-I-N-Структурах На Время Релаксации Неравновесных Носителей

Журнал технической физики
2018English

Зависимость Проводимости Слоев Пористого Кремния От Направления Переноса Носителей Заряда

Журнал технической физики
2019English

Влияние Квантового Магнитного Поля На Разогрев Носителей Заряда В Чистом Ge

Журнал технической физики
2019English

Диагностика Диэлектрических Материалов С Несколькими Группами Времен Релаксации

Журнал технической физики
2018English

Толкование Сомнений В Пользу Обвиняемого, Его Связь С Презумпцией Невиновности

Socio-economic and humanitarian magazine Krasnoyarsk SAU
2019English

Оценки Устойчивости Для Конечных Однородных Цепей Маркова С Непрерывным Временем

Теория вероятностей и ее применения
2005English

Фотоиндуцированное Поглощение Терагерцeвого Излучения В Полуизолирующем Кристалле GaAs

Журнал технической физики
2017English

Специфика Ориентировки В Схеме Собственного Тела Дошкольников С Задержкой Психического Развития

Российский психологический журнал
2010English

Селективный Пироэлектрический Детектор Миллиметрового Излучения С Ультратонким Резонансным Метапоглотителем

Журнал технической физики
2016English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy