Токовый Шум И Падение Эффективности Светодиодов При Туннелировании Носителей Из Квантовой Ямы InGaN/GaN С Участием Дефектов

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.01.46996.8847
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences


Related search