Токовый Шум И Падение Эффективности Светодиодов При Туннелировании Носителей Из Квантовой Ямы InGaN/GaN С Участием Дефектов
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.01.46996.8847
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences