Моделирование Пространственной Динамики Включения Лазера-Тиристора (Λ=905 Нм) На Основе Многопереходной Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2020.05.49265.9341
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Тритиевые Источники Электропитания На Основе Гетероструктур AlGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2019English

Оптимизация Волоконного ВКР-лазера На Основе Массива Волоконных Брэгговских Решеток

2018English

Резонатор Лазера С Интерференционно-Поляризационным Фильтром На Основе Фазовых Интерферометров

2018English

Мониторинг Человеко-Машинных Систем На Основе Анализа Динамики Информационной Энтропии

Информационное общество: образование, наука, культура и технологии будущего
2018English

Исполнение Моделей Системной Динамики На Основе Непрерывного Потока Входных Данных

International journal "Programmnye produkty i sistemy"
2018English

Дельта-Легирование Соединениями Марганца Гетероструктур На Основе GaAs

Журнал технической физики
2017English

Photoinduced Band-Bending Effect of Low Temperature GaAs on AlGaAs/InGaAs/GaAs Modulation-Doped Transistors

Journal of Applied Physics
AstronomyPhysics
2002English

Моделирование Распада Бинарных Сплавов На Основе Метода Функционала Плотности Свободной Энергии

Журнал технической физики
2017English

Моделирование Процессов Коагуляции На Основе Применения Систем Кинетических Дифференциальных Нелинейных Уравнений

Vestnik Samarskogo Gosudarstvennogo Tekhnicheskogo Universiteta, Seriya Fiziko-Matematicheskie Nauki
Mechanics of MaterialsCondensed Matter PhysicsApplied MathematicsAnalysisSimulationMathematical PhysicsModelingSoftware
2006English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy