Комбинационное Рассеяние Света В Кристаллах AlN, Выращенных Методом Сублимации На Затравках SiC И AlN

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.11.48461.9171
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Микроструктура И Комбинационное Рассеяние Света Тонких Пленок Cu-=sub=-2-=/SUB=-ZnSnSe-=SUB=-4-=/Sub=-, Осажденных На Гибкие Металлические Подложки

Журнал технической физики
2018English

Выращивание Объёмных Кристаллов AlN И GaN Сублимационным Сандвич-Методом

Журнал технической физики
2019English

Влияние Барьерных Эффектов На Межфазных Границах На Динамическое Рассеяние Света В Нематическом Жидком Кристалле

Журнал технической физики
2017English

Дислокационные Реакции В Полуполярном Слое GaN, Выращенном На Вицинальной Подложке Si(001) С Использованием Буферных Слоев AlN И 3c-SiC

Журнал технической физики
2019English

Новый Метод Получения Объемных Кристаллов AlN, GaN И AlGaN С Использованием Гибридных Подложек SiC/Si

Журнал технической физики
2019English

Влияние Степени Нитридизации Сапфира И Обогащения Алюминием Зародышевого Слоя На Структурные Свойства Слоев AlN

Журнал технической физики
2018English

Метод Управления Полярностью Слоев GaN При Эпитаксиальном Синтезе GaN/AlN Гетероструктур На Гибридных Подложках SiC/Si

Журнал технической физики
2019English

Рассеяние В Биллиардах И Задачи Ньютоновской Аэродинамики

Успехи математических наук
2009English

Гексагональные Слои AlN, Выращенные На Сульфидированной Si(100)-Подложке

Журнал технической физики
2018English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy