Влияние Глубоких Уровней Дислокаций В Гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs И GaAsSb/GaAs P-I-N-Структурах На Время Релаксации Неравновесных Носителей

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.02.45440.8680
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Связь Релаксации Собственного Стимулированного Пикосекундного Излучения GaAs С Характерным Временем Остывания Носителей Заряда

Журнал технической физики
2019English

Тонкая Структура Уровней И Пьезоспектроскопия a-=sup=-+-=/SUP=--центров В Квантовых Ямах GaAs/AlGaAs

Журнал технической физики
2018English

Влияние Квантового Магнитного Поля На Разогрев Носителей Заряда В Чистом Ge

Журнал технической физики
2019English

Влияние Неравновесных Корреляций На Эффективные Сопротивления Между Центрами В Теории Прыжковой Проводимости

Журнал технической физики
2019English

Влияние Глубоких Центров На Статистическую Задержку Микроплазменного Пробоя В Арсенид-Галлиевых Светодиодах

Журнал технической физики
2018English

Влияние Структуры Омических Контактов На Характеристики GaAs/AlGaAs Фотоэлектрических Преобразователей

Журнал технической физики
2018English

RF Characteristics of GaAs/InGaAsN/GaAs P-N-P Double Heterojunction Bipolar Transistors

English

Влияние Релаксации Кубита На Транспортные Свойства Микроволновых Фотонов

Журнал технической физики
2017English

Влияние Концентрации Наночастиц Серебра В Функциональных Покрытиях TiO-=SUB=-2-=/SUB=--Ag На Характеристики Фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge

Журнал технической физики
2018English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy