Низкотемпературный Отжиг Слаболегированных Слоев N-4h-SiC После Облучения Быстрыми Электронами
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.07.47879.9089
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences