Низкотемпературный Отжиг Слаболегированных Слоев N-4h-SiC После Облучения Быстрыми Электронами

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.07.47879.9089
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences


Related search