О Пространственной Локализации Свободных Электронов В N-Канальных МОП-транзисторах На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.01.45327.8436
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences