О Пространственной Локализации Свободных Электронов В N-Канальных МОП-транзисторах На Основе 4h-SiC
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.01.45327.8436
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2018
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences