О Пространственной Локализации Свободных Электронов В N-Канальных МОП-транзисторах На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.01.45327.8436
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Анализ Влияния Неодномерных Эффектов На Отпирающий Ток Управления Тиристорных Структур На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
2017English

Высоковольтные (1600 V) Размыкатели Тока С Субнаносекундным (150 Ps) Быстродействием На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
2018English

Критерий Сильной Локализации На Поверхности Полупроводника В Приближении Томаса-Ферми

Журнал технической физики
2017English

О Свободной Энергии В Двумерной $U(n)$-Калибровочной Теории Поля На Сфере

Теоретическая и математическая физика
1998English

О Поведении Локализованного Решения Волнового Уравнения В Окрестности Точки Локализации При Малых Временах

Математические заметки
2012English

Моделирование Пространственной Динамики Включения Лазера-Тиристора (Λ=905 Нм) На Основе Многопереходной Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2020English

Электросенсор На Основе Эффекта Электрогирации В Кристалле Вольфрамата Свинца

Журнал технической физики
2017English

О Сокращении Длительности Переходного Процесса Генерации В Релятивистском Генераторе Бегущей Волны Диапазона 2.4 GHz На Основе Полой Замедляющей Системы

Журнал технической физики
2018English

Управление Изменениями В Регионе На Основе Проектного И Маркетингового Подходов

Современная экономика: проблемы и решения
2018English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy