Температурная Активация Электронов Проводимости В Двойной Квантовой Яме HgTe/CdHgTe P-Типа Проводимости Со Слоями HgTe Критической Толщины
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2019.07.47870.9087
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences