Нелинейная По Концентрации Поверхностных Состояний Модель Барьера Шоттки И Расчет Вольт-Амперных Характеристик Диодов На Основе SiC И Его Твердых Растворов В Составной Модели Токопереноса

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.03.45623.8587
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences