Нелинейная По Концентрации Поверхностных Состояний Модель Барьера Шоттки И Расчет Вольт-Амперных Характеристик Диодов На Основе SiC И Его Твердых Растворов В Составной Модели Токопереноса
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2018.03.45623.8587
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2018
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences