Зарождение Двумерных Островков На Si(111) При Высокотемпературном Эпитаксиальном Росте
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2017.02.44107.8332
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2017
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences