Метод Управления Полярностью Слоев GaN При Эпитаксиальном Синтезе GaN/AlN Гетероструктур На Гибридных Подложках SiC/Si

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Новый Метод Получения Объемных Кристаллов AlN, GaN И AlGaN С Использованием Гибридных Подложек SiC/Si

Журнал технической физики
2019English

Дислокационные Реакции В Полуполярном Слое GaN, Выращенном На Вицинальной Подложке Si(001) С Использованием Буферных Слоев AlN И 3c-SiC

Журнал технической физики
2019English

Зарождение Двумерных Островков На Si(111) При Высокотемпературном Эпитаксиальном Росте

Журнал технической физики
2017English

Current-Transport Mechanisms in the AlInN/AlN/GaN Single-Channel and AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN Double-Channel Heterostructures

Thin Solid Films
SurfacesAlloysOpticalInterfacesMetalsMaterials ChemistryMagnetic MaterialsFilmsCoatingsElectronic
2013English

Исследование Упругих Свойств Пленок SiC, Синтезированных На Подложках Si Методом Замещения Атомов

Журнал технической физики
2019English

Self-Assembled GaN Quantum Wires on GaN/AlN Nanowire Templates

Nanoscale
Materials ScienceNanotechnologyNanoscience
2012English

Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных G-AlN и G-Si-=sub=-3-=/Sub=-N-=sub=-3-=/Sub=-

Журнал технической физики
2019English

Efecto Del Dopado Con Si Sobre La Estructura De Defectos en Sistemas Heteroepitaxiales GaN/AlN/Si(111)

Boletin de la Sociedad Espanola de Ceramica y Vidrio
Mechanics of MaterialsCompositesIndustrialManufacturing EngineeringCeramics
2000English

Band Offsets of Non-Polar A-Plane GaN/AlN and AlN/GaN Heterostructures Measured by X-Ray Photoemission Spectroscopy

Nanoscale Research Letters
Materials ScienceNanotechnologyCondensed Matter PhysicsNanoscience
2014English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy