Метод Управления Полярностью Слоев GaN При Эпитаксиальном Синтезе GaN/AlN Гетероструктур На Гибридных Подложках SiC/Si
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences