Легкий Гибкий Солнечный Элемент На Основе Гетероэпитаксиальной Структуры InGaP/GaAs

Журнал технической физики
doi 10.21883/jtf.2019.07.47802.438-18
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Синтез И Анализ Структуры Опасностей На Основе Нечетких Бинарных Отношений

International journal "Programmnye produkty i sistemy"
2015English

Тритиевые Источники Электропитания На Основе Гетероструктур AlGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2019English

Дельта-Легирование Соединениями Марганца Гетероструктур На Основе GaAs

Журнал технической физики
2017English

Влияние Структуры Омических Контактов На Характеристики GaAs/AlGaAs Фотоэлектрических Преобразователей

Журнал технической физики
2018English

3d-Структуры На Основе Восстановленного Оксида Графита И Наночастиц Золота И Их Сорбционные Свойства

Российские нанотехнологии
2020English

Особенности Электронной Структуры И Химических Связей В Композитах На Основе Полианилина, Полученных Бескислотным Синтезом

Конденсированные среды и межфазные границы
2019English

Светодиодные Структуры На Основе ZnO-пленок, Полученных Методом Высокочастотного Магнетронного Распыления, Для УФ Области Спектра

Журнал технической физики
2020English

ОБЕСПЕЧЕНИЕ ЭКОНОМИЧЕСКОЙ БЕЗОПАСНОСТИ РЕГИОНА НА ОСНОВЕ ОПТИМИЗАЦИИ ПРОФЕССИОНАЛЬНО-КВАЛИФИКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ РЫНКА ТРУДА (На Примере Краснодарского Края И Республики Крым)

Региональные проблемы преобразования экономики
2019English

N ‐Doped InGaP Nanowire Shells in GaAs/InGaP Core‐Shell Pn ‐Junctions

Physica Status Solidi (B): Basic Research
OpticalElectronicCondensed Matter PhysicsMagnetic Materials
2019English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy