Дельта-Легирование Соединениями Марганца Гетероструктур На Основе GaAs

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2017.09.44882.8534
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Тритиевые Источники Электропитания На Основе Гетероструктур AlGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2019English

Легкий Гибкий Солнечный Элемент На Основе Гетероэпитаксиальной Структуры InGaP/GaAs

Журнал технической физики
2019English

Моделирование Пространственной Динамики Включения Лазера-Тиристора (Λ=905 Нм) На Основе Многопереходной Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2020English

Получение Сорбционных Материалов На Основе Торфа

Khimiya Rastitel'nogo Syr'ya
Organic ChemistryPlant ScienceBiomaterials
2014English

Квазисосредоточенные Реактивные Элементы На Основе Кристаллоподобных Неоднородностей

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
2015English

Радиационная Деградация Сцинтилляторов На Основе LiF : W

Журнал технической физики
2019English

Радиационно Чувствительный Детектор На Основе Полевых Транзисторов

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
2017English

Управляемые Дифракционные Элементы На Основе Жидкокристаллических Композитов

Bulletin of the Moscow State Regional University (Physics and Mathematics)
2017English

Магнитные Жидкости На Основе Различных Типов Лигносульфонатов

Khimiya Rastitel'nogo Syr'ya
Organic ChemistryPlant ScienceBiomaterials
2013English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy