Тритиевые Источники Электропитания На Основе Гетероструктур AlGaAs/GaAs

Журнал технической физики
doi 10.21883/pjtf.2019.23.48716.17941n
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Дельта-Легирование Соединениями Марганца Гетероструктур На Основе GaAs

Журнал технической физики
2017English

Моделирование Пространственной Динамики Включения Лазера-Тиристора (Λ=905 Нм) На Основе Многопереходной Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Журнал технической физики
2020English

Влияние Структуры Омических Контактов На Характеристики GaAs/AlGaAs Фотоэлектрических Преобразователей

Журнал технической физики
2018English

Легкий Гибкий Солнечный Элемент На Основе Гетероэпитаксиальной Структуры InGaP/GaAs

Журнал технической физики
2019English

Получение Сорбционных Материалов На Основе Торфа

Khimiya Rastitel'nogo Syr'ya
Organic ChemistryPlant ScienceBiomaterials
2014English

Ultrafast GaAs/AlGaAs Traveling Wave Electrooptic Modulators

2001English

Письменные Источники На Тибетском Языке Из Фондов Национального Музея Тувы

New Research of Tuva
AnthropologyCultural StudiesHistory
2019English

Квазисосредоточенные Реактивные Элементы На Основе Кристаллоподобных Неоднородностей

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
2015English

Electron Beam Lithography Using GaAs Oxidized Resist for GaAs/AlGaAs Ultrafine Structure Fabrication.

Journal of Photopolymer Science and Technology
Organic ChemistryPolymersMaterials ChemistryPlastics
1994English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy