(PDF) Новый Метод Получения Объемных Кристаллов AlN, GaN И

Новый Метод Получения Объемных Кристаллов AlN, GaN И AlGaN С Использованием Гибридных Подложек SiC/Si

Журнал технической физики

doi 10.21883/ftt.2019.12.48549.51ks

Full Text

Abstract

Available in full text

Date

January 1, 2019

Authors

С.А. Кукушкин

Ш.Ш. Шарофидинов

Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Метод Управления Полярностью Слоев GaN При Эпитаксиальном Синтезе GaN/AlN Гетероструктур На Гибридных Подложках SiC/Si

Журнал технической физики

English

Дислокационные Реакции В Полуполярном Слое GaN, Выращенном На Вицинальной Подложке Si(001) С Использованием Буферных Слоев AlN И 3c-SiC

Журнал технической физики

English

Выращивание Объёмных Кристаллов AlN И GaN Сублимационным Сандвич-Методом

Журнал технической физики

English

Новый Метод Плотной Стереореконструкции Для Сцен С Наклонными Плоскостями

International journal "Programmnye produkty i sistemy"

English

Старые И Новый Примеры Поверхностей Общего Типа С $P_g=0$

Izvestiya Rossiiskoi Akademii Nauk. Seriya Matematicheskaya

English

Breakdown Mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate

English

Study on AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Si Substrate

Journal of the Vacuum Society of Japan

Instrumentation

Materials Science

English

Growth of GaN Film on 150mm Si (111) Using Multilayer AlN∕AlGaN Buffer by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Method

Applied Physics Letters

English