Дислокационные Реакции В Полуполярном Слое GaN, Выращенном На Вицинальной Подложке Si(001) С Использованием Буферных Слоев AlN И 3c-SiC

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftt.2019.12.48543.35ks
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Новый Метод Получения Объемных Кристаллов AlN, GaN И AlGaN С Использованием Гибридных Подложек SiC/Si

Журнал технической физики
2019English

Метод Управления Полярностью Слоев GaN При Эпитаксиальном Синтезе GaN/AlN Гетероструктур На Гибридных Подложках SiC/Si

Журнал технической физики
2019English

Стимулированное Излучение На Длине Волны 1.3 Mum В Метаморфной Структуре InGaAs/InGaAsP С Квантовыми Ямами, Выращенной На Подложке Ge/Si (001)

Журнал технической физики
2018English

Гексагональные Слои AlN, Выращенные На Сульфидированной Si(100)-Подложке

Журнал технической физики
2018English

Влияние Отжига На Свойства Слоев Ge : Sb/Si(001) С Концентрацией Сурьмы Выше Уровня Ее Равновесной Растворимости В Германии

Журнал технической физики
2019English

Комбинационное Рассеяние Света В Кристаллах AlN, Выращенных Методом Сублимации На Затравках SiC И AlN

Журнал технической физики
2019English

Микрокристаллическая Структура И Светоизлучающие Свойства 3c-SiC Островковых Пленок, Выращиваемых На Поверхности Si(100)

Журнал технической физики
2019English

Влияние Степени Нитридизации Сапфира И Обогащения Алюминием Зародышевого Слоя На Структурные Свойства Слоев AlN

Журнал технической физики
2018English

Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных G-AlN и G-Si-=sub=-3-=/Sub=-N-=sub=-3-=/Sub=-

Журнал технической физики
2019English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy