Стимулированное Излучение На Длине Волны 1.3 Mum В Метаморфной Структуре InGaAs/InGaAsP С Квантовыми Ямами, Выращенной На Подложке Ge/Si (001)
Журнал технической физики
doi 10.21883/pjtf.2018.16.46478.17282
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2018
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences