(PDF) Синтез Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Синтез Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=- Нитевидных Нанокристаллов Ультра Малого Диаметра На Сильно Рассогласованной Подложке SiC/Si(111)

Журнал технической физики

doi 10.21883/ftp.2017.11.45104.18

Full Text

Open PDF

Abstract

Available in full text

Date

January 1, 2017

Authors

Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Влияние Упругих Напряжений На Формирование Осевых Гетеропереходов В Трехкомпонентных Нитевидных Нанокристаллах a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Журнал технической физики

2019

English

Когерентный Рост Нитевидных Нанокристаллов InP/InAsP/InP На Поверхности Si(111) При Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Журнал технической физики

2018

English

Исследование Влияния Переходного Слоя Нанопористого Кремния На Атомное И Электронное Строение, А Также Оптические Свойства Гетероструктур a-=sup=-Iii-=/Sup=-N/Por-Si, Выращенных Методом Плазменно-Активированной Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Журнал технической физики

2019

English

Исследование Параметров Наноразмерного Слоя В Наногетероструктурах На Основе Полупроводниковых Соединений a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=--=sup=- 1-=/Sup=-

Журнал технической физики

2016

English

Формирование Преципитатов В Si, Имплантированном Ионами -=sup=-64-=/SUP=-Zn-=SUP=-+-=/Sup=- И -=sup=-16-=/Sup=-O-=sup=-+-=/Sup=-

Журнал технической физики

2018

English

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-> HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)

Журнал технической физики

2019

English

Cверхтонкая Структура В ЭПР Изотопов -=sup=-151-=/SUP=-Eu-=SUP=-2+-=/Sup=- И -=sup=-153-=/SUP=-Eu-=SUP=-2+-=/Sup=- В Лютеций-Алюминиевом Гранате

Журнал технической физики

2019

English

Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония

Журнал технической физики

2019

English

О Структуре Энергетического Спектра Дырок В Материалах a-=sup=-Iv-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=- Под Иным Углом Зрения

Журнал технической физики

2019

English

Amanote Research

Синтез Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=- Нитевидных Нанокристаллов Ультра Малого Диаметра На Сильно Рассогласованной Подложке SiC/Si(111)

Журнал технической физики

doi 10.21883/ftp.2017.11.45104.18

Full Text

Abstract

Date

Authors

Publisher

Related search

Влияние Упругих Напряжений На Формирование Осевых Гетеропереходов В Трехкомпонентных Нитевидных Нанокристаллах a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Когерентный Рост Нитевидных Нанокристаллов InP/InAsP/InP На Поверхности Si(111) При Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Исследование Параметров Наноразмерного Слоя В Наногетероструктурах На Основе Полупроводниковых Соединений a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=--=sup=- 1-=/Sup=-

Формирование Преципитатов В Si, Имплантированном Ионами -=sup=-64-=/SUP=-Zn-=SUP=-+-=/Sup=- И -=sup=-16-=/Sup=-O-=sup=-+-=/Sup=-

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-&gt; HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)

Cверхтонкая Структура В ЭПР Изотопов -=sup=-151-=/SUP=-Eu-=SUP=-2+-=/Sup=- И -=sup=-153-=/SUP=-Eu-=SUP=-2+-=/Sup=- В Лютеций-Алюминиевом Гранате

Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония

О Структуре Энергетического Спектра Дырок В Материалах a-=sup=-Iv-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=- Под Иным Углом Зрения

Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-> HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)