Amanote Research
Register
Sign In
Discover open access scientific publications
Search, annotate, share and cite publications
Publications by М.Е. Шенина
Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония
Журнал технической физики
Related publications
Влияние Пористости И Размера Зерна На Фазовый Состав И Механические Свойства Керамики На Основе Диоксида Циркония
Журнал технической физики
Влияние Режимов Работы На Отклик Сенсоров Аммиака На Основе Пленок Диоксида Олова
Журнал технической физики
Искусственные Электрон-Транспортные Цепи На Основе Зеленого Флуоресцентного Белка-=sup=-*-=/Sup=-
Журнал технической физики
Визуализация 1.908 Mum Излучения Tm : YLF-лазера Керамикой На Основе PbF-=SUB=-2-=/SUB=-, Легированной Ионами Ho-=sup=-3+-=/Sup=-
Журнал технической физики
Дифференциация Пигментных Новообразований Кожи На Основе Цифровой Обработки Оптических Изображений-=sup=-*-=/Sup=-
Журнал технической физики
Исследование Параметров Наноразмерного Слоя В Наногетероструктурах На Основе Полупроводниковых Соединений a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=--=sup=- 1-=/Sup=-
Журнал технической физики
Формирование Преципитатов В Si, Имплантированном Ионами -=sup=-64-=/SUP=-Zn-=SUP=-+-=/Sup=- И -=sup=-16-=/Sup=-O-=sup=-+-=/Sup=-
Журнал технической физики
Влияние Плотности Атомов Буферного Газа На Форму Эксимерной Полосы HgXe(A-=SUP=-3-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)-> HgXe(X-=SUP=-1-=/SUP=-0-=SUP=-+-=/SUP=-)
Журнал технической физики
Влияние Упругих Напряжений На Формирование Осевых Гетеропереходов В Трехкомпонентных Нитевидных Нанокристаллах a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-
Журнал технической физики
