Исследование Упругих Свойств Пленок SiC, Синтезированных На Подложках Si Методом Замещения Атомов
Журнал технической физики
doi 10.21883/ftt.2019.12.48590.33ks
Full Text
Open PDFAbstract
Available in full text
Date
January 1, 2019
Authors
Publisher
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences