Исследование Упругих Свойств Пленок SiC, Синтезированных На Подложках Si Методом Замещения Атомов

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftt.2019.12.48590.33ks
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences


Related search