Анализ Влияния Неодномерных Эффектов На Отпирающий Ток Управления Тиристорных Структур На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
doi 10.21883/ftp.2017.02.44111.8335
Full Text
Abstract

Available in full text

Date
Authors
Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Related search

Сравнительные Характеристики Однослойных И Двухслойных Тензопреобразователей Давления На Основе Структур Кремний–на–сапфире

Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
2015English

О Пространственной Локализации Свободных Электронов В N-Канальных МОП-транзисторах На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
2018English

Высоковольтные (1600 V) Размыкатели Тока С Субнаносекундным (150 Ps) Быстродействием На Основе 4h-SiC

Журнал технической физики
2018English

Анализ Влияния Уровня Образования На Отдельные Показатели Социального Развития Общества

Збірник наукових праць Харківського національного університету Повітряних Сил
2018English

Разработка Системы Автоматического Управления Струйным Измельчением На Основе Экспериментальных Данных

System technologies
2020English

Влияние Облучения Ионами Si-=sup=-+-=/Sup=- На Резистивное Переключение Мемристивных Структур На Основе Стабилизированного Диоксида Циркония

Журнал технической физики
2019English

Онтологические Средства Специализации Концептуальных Моделей На Основе Управления Механизмами Вычислений

International journal "Programmnye produkty i sistemy"
2013English

Синтез И Анализ Структуры Опасностей На Основе Нечетких Бинарных Отношений

International journal "Programmnye produkty i sistemy"
2015English

Факторный Анализ Влияния Инновационной Составляющей На Уровень Экономической Безопасности Регионов ПФО

Вопросы экономики и права
2018English

Amanote Research

Note-taking for researchers

Follow Amanote

© 2024 Amaplex Software S.P.R.L. All rights reserved.

Privacy PolicyRefund Policy